半导体FAB厂 PIE 入门技术知识解读

1.简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?

答：①SAB 光刻后（photo），刻蚀后(etch)的图案（特别是小块区域）。要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。

②remain oxide (残留氧化层的厚度)。

2.

何谓硅化物( salicide)?

答：Si 与 Ti 或 Co 形成 TiSix 或 CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻值（Rs, Rc）。

3.

硅化物(salicide)的形成步骤主要可分为哪些?

答：①Co(或Ti)+TiN的沉积；

②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。

③将未反应的Co(Ti)以化学酸去除。

④第二次RTA  (用来形成Ti的晶相转化, 降低其阻值)。

4.

MOS器件的主要特性是什幺？

答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极(S/D)之间电流，实现其开关特性。

5.

我们一般用哪些参数来评价device的特性？

答：主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk(breakdown)、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk (breakdown)值尽量大， Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.

6.

什幺是Idsat?Idsat 代表什幺意义？

答：饱和电流。也就是在栅压(Vg)一定时，源/漏(Source/Drain)之间流动的最大电流.

7.

在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?

答：Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp. 条件。

8.

什幺是Vt? Vt 代表什幺意义？

答：阈值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg